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多晶硅陶瓷产品专业生产

来源: 点击数:1904次 更新时间:2016/3/10 10:10:33

  

 

威特陶瓷专业生产各种优质规格氮化硅陶瓷、95氧化铝陶瓷、99氧化铝陶瓷,高压太阳能光伏绝缘环护套(单晶硅,多晶硅,还原炉及氢化炉高压绝缘环护套,隔热罩),是(单晶硅,多晶硅项目)专用新材料产品。
  (1)氮化硅陶瓷;该氮化硅陶瓷环,绝缘性好、韧性高、耐高温和抗震性好,能够延长其使用寿命,添加的烧结剂有助于致密化;能满足多晶硅还原炉的环境使用要求,使用寿命长,提高工作效率。

    技术参数:
    高纯氮化硅陶瓷
       纯度(%): >99;体积密度(g/cm3): >3.20;显气孔率(%): 1200;常温抗弯强度(MPa): 650;高温抗弯强度(MPa): 485(1400℃);热膨胀系数(×10-6/℃): 3.2;空气中最高使用温度(℃): 1400;保护气氛中最高使用温度(℃): 1800; 电阻率:1018欧.CM;耐压性能: 20000V以上
   (2)95, 99氧化铝陶
        技术参数:
        95氧化铝陶瓷
         体积密度(g/cm3): >3.50; 抗折强度(MPa): 304; 线膨胀系数: 20~800°C ×10-6/°C 6.5~8.0; 介电常数: 1MHz 9~10 10GHz 9~10; 介质损耗: 1MHz ×10-6 ≤4 10GHz ×10-6 ≤10; 比体积电阻: 100°C Ω•Cm >1013; 击穿强度: KV/mm 15; 导热系数: 20°C W/m•k 25.5
        99氧化铝陶瓷
         体积密度(g/cm3): 3.7; 抗折强度 (MPa): 340; 线膨胀系数: 20~800°C ×10-6/°C 6.5~8.0; 介电常数: 1MHz 9~10.5 10GHz 9~10.5; 介质损耗: 1MHz ×10-6 ≤2.5 10GHz ×10-6 ≤6; 比体积电阻: 100°C Ω•Cm >1013; 击穿强度: KV/mm 15; 导热系数: 20°C W/m•k 25.2

 


上一信息:氧化铝焊接陶瓷衬垫在单面焊双面成形中的作用

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